日本京瓷公司（Kyocera）日前宣布，其成功开发了一种全新的工艺，用于生产micro LED（和微型激光）器件。该工艺基于硅晶片上氮化镓（GaN）层的横向生长，以限制大部分区域的缺陷。
基本过程有三个步骤。首先在硅晶片上生长氮化镓层。第二步是涂上具有水平间隙的掩模。第三步是继续生长氮化镓层。缺陷集中在开口核，但其余生长区域几乎没有缺陷。实际的micro LED器件由低缺陷区域制造。
京瓷表示，该新工艺有三大优势。首先，器件是由低缺陷氮化镓在宽面积上制成的，具有一致的高品质。其次，由于掩模层抑制了氮化镓和硅衬底之间的结合，所以很容易将氮化镓器件拉出晶片。最后，新工艺有助于从相对便宜的硅衬底成功且可靠地分离氮化镓器件层，这将大大降低制造成本。
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