法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）的研究人员开发出一种新工艺来生产高性能氮化镓（GaN）micro-LED显示器，研究人员称这种显示器比现有方法更简单，更有效。
新工艺的第一步是将micro-LED芯片直接转移到CMOS晶圆的顶部。第二步，由CMOS驱动电路和micro-LED芯片制成的每个完整的“像素”被传送到显示基板。
研究人员表示，这项新技术可用于制造各类micro-LED显示器，从小型可穿戴显示器到大型电视面板，因为CMOS驱动器具有高性能。单个LED-CMOS单元采用全半导体晶圆级方法制备，终端显示器不需要使用薄膜晶体管（TFT），这是当前工艺的另一个优势。
联建光电LED屏
威创小间距
洲明小间距
AET小间距
奥拓LED屏
WAP手机版
建议反馈
官方微博
微信扫一扫
PjTime