回顾往昔，a-Si 一直是TFT背板的主要技术方案。A-Si TFT技术具有制造成本低，成品率较高以及基板制造升级相对简单，目前可以用超大的9平方米玻璃基板进行量产。这种世代升级带来的成本降低日益满足了消费者的价格预期，使得a-Si TFT-LCD产品成为了显示业内的主流产品。
晶体管的功能主要是为像素充电，快速达到工作电压，并保持像素上的电量直到下一次刷新信号。对于晶体管来讲，一个关键的性能是载流子的迁移率，即电子的移动速度。电子迁移率低意味着响应缓慢。A-Si的载流子迁移率将不能够胜任高分辨率，高响应速度显示屏的要求，如最新的高端智能手机和平板电脑等显示屏。
可替代a-Si的技术目前有LTPS（低温多晶硅）和MO（金属氧化物）。最好的替代材料应该有更高的载流子迁移率，而且制造成本要低，量产的良率要高以及制造工艺能够向大尺寸化（同时保持薄膜的均匀性）升级，进一步发挥世代升级带来的单位面积制造成本降低的优势。
相对地，LTPS具有最高的载流子迁移率，不过制造成本也最高，由于LTPS需要更多的工艺步骤。而且LTPS工艺在获得良好的薄膜均匀性和高良品率方面也面临很大的挑战。此外，LTPS在世代升级上受到一定的限制，目前主要的瓶颈在激光退火设备，只能对应中等基板尺寸（小于3平方米）。
MO技术，采用铟镓锌氧组分的金属氧化物成为业界最具希望的替代技术，能够在大尺寸玻璃基板上获得所需的高迁移率和高均匀性。（今天，应用材料公司正式发布了一项新的PECVD技术，用于制造MO TFT的绝缘薄膜，其可容纳的基板尺寸有9平方米大小，如前面a-Si中提到的尺寸。）MO 工艺，对比LTPS，所需的光罩工序更少，而且具有在室温条件沉积薄膜的优点，意味着在未来的柔性显示衬底上可以进行同样的成膜工艺。
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