有源驱动彩色OLED技术是未来OLED技术重点发展方向之一，也是制备OLED电视机和显示器的必须技术。这一技术很大程度可以继承LCD的TFT驱动技术。但是LCD液晶是电压驱动，而OLED是电流驱动，这就决定了二者还将拥有一定的技术差异。
TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动。这种技术具有响应迅速、精度高、可做到点到点的调整等突出特点。虽然其制备工艺更复杂，但是还是得到了市场的广泛青睐。目前大多数液晶和OLED显示屏都趋向于采用这种驱动技术。
有源驱动OLED技术，AMOLED的发展主要取决于TFT在OLED中的应用。TFT-AMOLED驱动技术有三个研发方向：一是改进传统的非晶硅技术(a-Si TFT)，二是开发载流子迁移率高的低温多晶硅技术(LTPS TFT)，三是开发有机薄膜晶体管(OTFT)。
LTPS TFT拥有较高的载流子迁移率，这对电流驱动型的OLED器件来说是非常有利的，然而制备技术还不成熟，成品率还很低。传统的准分子激光晶化法非常昂贵，器件性能上亮度还不均匀。
a-Si TFT可以延续液晶的技术，工艺简单、成熟、成本低廉，且可以利用现有的液晶生产设备，基板尺寸可以做到10代线以上，但用于驱动OLED则存在迁移率低、器件性能稳定性差等缺点。从发展趋势看，a-Si可能适合大尺寸显示，LTPS则可能适合中小尺寸高节约能耗产品的显示。
另外OTFT技术采用有机材料代替硅，适合于软屏制备，相对于硅薄膜晶体管，OTFT的工艺要简单得多。但是OTFT技术还处于基础研究阶段。
本质上以上三者都是TFT驱动技术，差异主要是薄膜晶体管的晶体材料和工艺，例如以上三种之外的UC-si/P-SI等技术。采用不同的工艺和材料可以获得不一样的效果。事实上，不同企业除了采用晶体硅氧化物方案外，薄膜晶体管技术领域在开发其它晶体技术方案，例如金属氧化物。这些方案
但是，a-Si TFT(Amorphous Silicon TFT)机板，依然是目前LCD业界广为使用并为最有经济效益的机板。研究显示a-Si TFT的不稳定性来自两个原因，一为a-Si:H本身的不稳定状态，另一个则是电荷锁在氮化硅闸极绝缘层。经过测试之后，利用负偏压可以减少Vth电压的漂移问题，加上负1伏特电压的偏压，经过1万小时后，Vth电压的漂移电压是1.2伏特，相对没有加上偏压的2.7伏特的漂移电压，则明显改善许多。理论上，通过矫正性技术的引入，a-Si TFT将在显示性能上得到很大改善，并最有希望率先将成熟的大尺寸OLED显示产品引入到我们的日常生活之中。
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