破茧欲出的平板显示技术 SED技术解析

    前面我们已经提到，SED通过碳纳米间隙中的隧道效应产生电流，然后利用阳极和阴极之间的电场改变电子的运动轨迹。我们知道，闪存也是利用隧道效应进行数据存取的，由于其充放电过程会导致浮置栅极介质的氧化降解，因此NAND型闪存的读写寿命为100万次左右，而NOR型闪存因为通过热电子注入方式写入数据，寿命更短，只有10万次。SED中的亚微米间隙在放电瞬间是否会产生电火花，从而导致介质氧化降解，从而缩短SED面板的寿命呢？这是最让人放心不下的地方。

    为了延长电子源寿命，佳能的工程师们在SED在介质材料的选择上可谓挖空心思，甚至将白金（铂，Pt）都给用上了。让我们看看图3，这是SED面板单一像素的剖面图。SED像素中的电极材料是铂，而碳纳米间隙两端的材料则是钯。铂在1800℃的高温下也不会氧化，钢铁厂、玻璃厂常用它作为热电偶套管或辅助加热电极。碳纳米间隙是利用氧化钯（PdO）分解得到的。作为一种性能非常稳定的导电材料，氧化钯常被用作厚膜电阻中的导电相，温度超过820℃时，氧化钯分解为金属钯。碳纳米间隙正是利用了氧化钯的这种特性，以电脉冲形成的热量加工出来的。加工过程中氧化钯被分解为金属钯，冷却后因收缩而产生裂隙，形成放电间隙。

    特殊的制作工艺，加上性能稳定的材料，保证了常温下SED面板的工作稳定性（间隙寿命大约为60,000小时）。