未来科技 SED和FED显示技术优缺比较

从电子源板和驱动电路方面可以清楚地看到SED和FED之间的显著差异。在讨论差异的显著性之前，我们必须首先理解每种技术采用的结构和工作原理。

1. 标准FED发射器结构

    采用纳米碳管(CNT)发射器的一些典型结构如图4所示。微端(Microtip)发射器也有相似的结构。在这两种情况下，电子束都是通过从发射器结构(CNT或微端)获得电子形成的，这是阳极、栅极和阴极之间的电压差导致发射器上产生高电场的结果。在某些时候，阳极电场致使电子发射，而阴极-栅极的压差控制发射电流强度。

图4：用于CNT发射器的配置。(a)金属栅格悬浮在位于阴极线顶部的CNT电子发射器片上。 (b)栅极结构完全被集成，并采用光刻技术构建于阴极板上。

    FED发射器的电子流受发射器上施加的电场(由阴极到栅极的偏置电压产生)控制，并受Fowler-Nordheim等式的约束。发射器的电流是施加电压的函数，并呈高度的非线性。图5是一个CNT发射器的I-V特性例子。除了施加电场外，发射电流还取决于发射器的功函数(workfunction())和发射器形状。当功函数降低时，例如涂覆碱金属，那么在较低的电场更容易获取电子。当发射器的形状变得较锐利时，也更容易或取电子，因为在发射器顶部的局部电场会更高。

图5：作为电场函数的发射电流施加于CNT发射器，而且CNT发射器覆盖了铯。铯可以降低功函，允许在较低的提取电场下发射。

    考虑标准FED技术时有两个要点。首先，配置在很大程度上是垂直的。一般栅极紧靠阴极放置，这样施加的电场在CNT发射器沉积的阴极处大部分是垂直的，从阴极发射出来的电子将直接到达阳极。一些电子束的加宽是施加电场的横向分量引起的，但设计会尽可能地限制这些分量，或者需要时在路径中放置另外的聚焦电极加以纠正。通常情况下，FED设计师的目标是禁止电子在离开发射器后撞击除阳极外的其它任何表面。

    其次，典型的FED是电压驱动型器件。在无源矩阵FED显示器中，很难在阴极和栅极(开和关电压)之间施加超过两个或三个电压等级，因此图像的灰度等级是由脉冲宽度调制实现的。对所有无源矩阵平面显示器而言，图像是一行行建立的。当某一行被激活时，该行的像素就被列驱动器打开；该行每个像素保持打开的时间取决于该幅图像帧的像素要求的发光强度。由于发射器的发射电流具有高度非线性，发射器的制造又很难控制，因此对微端和CNT显示器来说发射和图像的一致性是需要克服的大问题。制造技术已经改善了基于CNT的FED的一致性。阴极的发射一致性通常是由与阴极串联在一起的电流反馈电阻进行控制。

    FED发射器的制造取决于FED开发团队所采用的方法。摩托罗拉和LETI公司开发的工艺要求CNT直接生长在阴极基底上，而ANI和三星等公司开发的工艺允许CNT印刷。与直接CNT生长所要求的高温CVD方法相比，印刷方法更适合大批量制造具有一致发射性能的大面积阴极。印刷方法要求一个活化步骤，但即使这个步骤也针对使用珠光处理(bead-blasting)技术的大面积制造工艺作了优化。

2.SED结构

SED结构与其它FED技术相比其独特性在于，针对每个像素对阳极提供的电子束流需要用两步产生。

a．第1步

    电子源横向发出电子，穿越两个电极之间形成的非常窄的间隙。电极之间的这个间隙虽然小，只有数个纳米数量级，但仍是真空间隙，需要施加一定的电位才能将电子从一个电极提取出来，并穿过真空隧道屏障到达另外一个电极。穿越电极空隙的电子流遵循Fowler-Nordheim定律，因此具有高度非线性，并允许后文要讨论到的矩阵可寻址方式。表面传导发射器(SCE)正是从这种横向发射器结构而来。图6是SED发射器的结构图。

图6：SED的结构。每个子像素都有一个独特的用于提供电子流的电极对。

b.第2步

    穿越间隙并撞击对面电极的电子要么被吸收进对面电极(因此只产生热量，不发光)，要么被散射出来，再被阳极电位建立的电场所捕获，并加速撞击某个精确荧光点，从而产生红、绿或蓝光点。这种组合式电子发射加电子束散射过程如图7所示，其中Va代表阳极电位，Vf是跨越间隙的驱动电位。许多散射事件可能发生在电子被阳极电场捕获之前。因此被阳极捕获的电子数量的效率(Ie/If,图7)非常低，大约在3%，但功效比较理想，因为Vf比较低，约在20V。值得注意的是，到达阳极的电子流一致性取决于间隙处的电场发射电流以及像素到像素的散射事件效率。

图7：表面传导发射器发射机制。

    上述发射器是采用多种技术制造的。简单的矩阵连线通过印刷方法沉积而成，这种方法在交叉点处使用银线和绝缘薄膜。铂(Pt)电极采用薄膜光刻制成，这些电极之间的间隙是60nm。纳米碳间隙采用两步工艺创建，最先是在Pt电极上和电极间用喷墨印刷方法沉积PdO薄膜(10nm厚)。这层薄膜由直径约10nm的超细PdO颗粒组成。然后是第一步，在两个Pt电极之间的这种PdO薄膜上施加一串电压脉冲，通过减少氧化层在该薄膜上“形成”一个间隙。由于基底处于真空环境，脉冲热量会减少PdO。随着PdO的减少，薄膜会受到一定的压力，最终在PdO点的直径范围内形成亚微米的间隙。

    然后，将阴极暴露在有机气体中“激活”间隙，并往间隙上施加更多的脉冲电压。这些脉冲电压将形成局部放电，并导致间隙中形成类似CVD的碳薄膜沉积，最终间隙将缩小至自我限制的5nm数量级距离。当间隙较大时，由于碳氢化合物分子在因放电形成的等离子区内的分裂而沉积成碳元素。随着间隙逐渐变小，脉冲生成的局部放电电流会越来越大，材料将逐渐蒸发。当间隙为5nm时，碳元素的沉积和蒸发达到平衡。这种间隙的宽度受有机气体压力和脉冲电压的控制。间隙的横截面图像如图8所示。

图8：(顶部)采用成型和激活工艺制造的纳米碳间隙的SED横截面图。(底部)纳米碳间隙结构的框图。基底损耗是由于激活工艺局部产生的高温引起的。

    与FED相似，SED也是逐行驱动的，如图9所示。扫描电路产生扫描信号(V_scan)，信号调制电路产生同步于扫描信号的脉宽调制信号(V_sig)。由于表面传导发射器具有高度非线性的Ie-If特性，可以不用有源单元而使用简单的矩阵x-y配置来有选择地驱动每个像素，并在信号电压为18.9V、扫描电压为9.5V时仍能获得100000:1的亮度对比度。相比之下，基于CNT的FED结构的典型信号电压为 35" 50 V，扫描电压为50" 100 V。SED开关器件的电压低得多，但它们必须针对更高的稳态电流负载进行设计，由于SCE电子散射机制的低效率，最高电流可达30倍。SED的大电流还要求互连线阻抗比FED低，因为即使线上一个很小的压降也会导致边到边的非一致性。

图9：SED矩阵寻址式驱动方法框图。

本文小结

    SED和其它FED技术有许多相似的部分，例如阳极配置和阳极使用的荧光层、隔离器技术、吸气器以及许多装配工艺。最大的差异在于发射器结构，虽然SED和其它基于FED的结构都可以用印刷技术进行制造，从而有助于降低大屏幕显示器的制造成本。

    两种发射器结构都遵循Fowler-Nordheim特性，允许使用简单的x-y矩阵寻址实现高的对比度。SED已经可以提供100000:1的对比度；如果使用相同的阳极，FED也能提供近似值。SED和基于CNT的FED(对于印刷CNT层)都要求激活步骤，虽然激活过程有很大的不同。SED的驱动电压为20V或以下，但要求较大的电流能力。基于CNT的FED一般工作在50 " 100 V范围内，但驱动电流小得多。由于要求大的驱动电流和低的驱动电压，SED的互连线需要更稳定可靠。因此SED和基于CNT的FED已经被证明或有可能被证明是制造高质量、大屏幕HDTV显示器的低成本方法。

作者：

R. L. Fink, Zvi Yaniv,

L. H. Thuesen, Igor Pavlovsky

Applied Nanotech公司