第三代半导体将写入十四五规划，洲明引领Mini LED技术创新与产业化

佚名　2020-09-11

近日，世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露，国家2030计划和“十四五”国家研发计划已经明确第三代半导体为重要发展方向。

第三代半导体是什么

第三代半导体也称为宽禁带半导体材料，一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带为代表的第三代半导体材料，相较前两代产品具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等显著性能优势，可改进相关芯片及器件性能。

第三代半导体材料特性
（图片来源：洲明官网，下同）

如果你依然对第三代半导体材料感到陌生，可以抬头看看身边无处不在的LED灯，正是氮化镓基蓝光LED的发明，使高效白光LED照明得以实现。

对LED显示行业而言，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料对LED外延片和芯片性能的提升，可以更小体积实现更高的功率密度输出与更高的能量转换效率，为Mini /Micro LED的发展创造了有利条件。

在国家大力发展第三代半导体的背景下，洲明作为第三代半导体产业技术创新战略联盟发起单位与理事单位，也积极通过产学研与产业链上下游企业联合创新，促进第三代半导体的发展。

洲明Mini/Micro LED技术突破

作为LED行业领军企业，洲明在Mini LED领域布局已久，并率先完成Mini LED技术和应用上的多项突破。

显示技术方面，洲明Mini LED产品在行业内率先采用全倒装LED芯片、巨量转移制造技术和集成一体封装技术，有效解决Mini LED发展进程中面临的稳定性、可靠性及高密度超高清显示等痛点。通过将高效共晶全倒装结构LED芯片和动态节能技术相结合，屏幕节能提升40%。Mini LED显示产品还具有20000:1超高对比度、180°超广视角、2000nit超高亮度、HDR显示等特点，显示画面柔和且无颗粒感，具有震撼的视觉效果。

RGB全倒装芯片技术

集成一体封装技术

动态节能技术

EBL光学处理技术

3H防护技术

洲明还结合Micro LED显示技术和AM驱动技术，推动显示技术向更小间距发展。目前，洲明已开始对P0.1以下Micro LED产品的探索。

材料方面，洲明Mini /Micro LED光学显示材料具备更高的对比度与一致性，成功解决炫彩反光痛点；表面封装材料则具备更好的环境适应性与可靠性，高效防水、防潮、防震动、防紫外线；在发光芯片材料方面，洲明通过持续研发与改进Micro LED巨量转移技术，目前一次性可转移8-10万颗芯片，并在良率、间距方面不断取得突破。

洲明Mini LED技术产业化与推广应用

技术创新的同时，洲明从助力行业整体发展的角度出发，积极推进Mini LED技术产业化，现已拥有Mini LED显示屏标准产线，并成功推出了涵盖多种点间距的Mini LED系列化产品。

2018年，洲明成功研发并推出点间距为0.9mm的Mini LED显示屏；2019年，洲明率先实现4K、8K及更高等级Mini LED产品的批量化生产，并推出可量产的超小间距产品UpanelS系列（P0.5）和UMini（P0.9）系列产品。洲明ROE还开发出了基于共阴驱动技术和IMD四合一封装技术的超小间距户内高端固装Mini LED产品Amber0.9琥珀系列。